● 高達 1000mA 的可編程充電電流

● 電源電壓6.5V以上觸發(fā)過壓保護

● 過溫保護

● BAT端防反接保護

● 電池溫度監(jiān)測功能

● 封裝：ESOP8

不同狀態(tài)下的LED顯示情況：

AiP4056H內置的PMOSFET結構及防范功能，可以省去外接MOSFET、檢測電阻及隔離二極管等組件的需求，大幅度降低了設計的復雜程度。該芯片采用ESOP8封裝形式，集成度高，散熱效果好，有效縮減了PCB布局空間。

AiP4056H配備了兩個狀態(tài)指示燈讓用戶清晰地了解充電進程和狀態(tài)，另一方面，AiP4056H芯片還加入了電池溫度檢測、欠壓閉鎖等功能?？捎行Х乐闺姵剡^熱、過冷或電壓過低，確保電池的安全和穩(wěn)定。

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【中微愛芯電池管理產品線】

【PCB布局建議】

不良的PCB布局會對AiP4056H的性能產生負面影響，導致電磁干擾（EMI）、電磁兼容性（EMC）差異、接地跳變以及電壓損失，影響電壓的調節(jié)與穩(wěn)定性。為優(yōu)化其電氣與熱性能，需遵循以下規(guī)則以實現(xiàn)高質量的PCB布局與布線，確保實現(xiàn)最佳性能：

1. 輸入電容器CIN應靠近VCC及GND引腳布置。為最大限度減少高頻噪聲，建議在BAT端與VCC輸入端分別連接一個0.1uF陶瓷電容器，并確保布線緊貼芯片引腳。

2. 對于高電流路徑，應采用大面積PCB覆銅的模式，包括GND引腳。可將PCB傳導損耗及熱應力最小化。

3. 為減少過孔傳導損耗并降低模塊熱應力，應采用多個過孔連接頂層與其他功率層或地層。

4. 由于PROG引腳具有高阻抗特性，當遠離芯片熱源時，RPROG引線軌道應盡量縮短，以減少對充電電流設置的潛在干擾。

5. 對于大電流充電應用，為縮短充電時間，建議增加散熱電阻。在電源與VCC之間串聯(lián)的電阻阻值范圍應為0.2～0.5Ω。電阻值越大，充電時間雖短，但功耗亦隨之增加，且電阻值不應超出此范圍。

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